El transistor es un componente importante y omnipresente en la microelectrónica moderna. Su finalidad es sencilla: permite, utilizando señal débil controlar mucho más fuerte.
En particular, se puede utilizar como un “amortiguador” controlado: ante la ausencia de una señal en la “puerta”, bloquea el flujo de corriente y, al suministrarla, lo permite. En otras palabras: se trata de un botón que no se presiona con un dedo, sino aplicando voltaje. Esta es la aplicación más común en electrónica digital.
¿Cómo funciona un transistor?
Al principio se le llamó la versión de estado sólido del triodo de vacío, pero el término "transistor" sobrevivió. Este tipo de transistor se compone de. Sabemos que el silicio y el germanio son ejemplos de semiconductores. Ahora bien, ¿por qué se llama transistor de unión? La respuesta está en la construcción. Ahora bien, en este tipo de transistor, un tipo de semiconductor se intercala entre otro tipo de semiconductor. Los discutiremos más tarde.
Características del transistor de unión bipolar
Ahora bien, cuando hay dos uniones hechas de diferentes tipos de semiconductores, se le llama transistor de unión. Se llama bipolar porque la conducción se debe tanto a electrones como a huecos. 
Características generales del emisor.
Modo básico general Modo general Emisor Modo colector general. . En el diagrama de la figura anterior, se puede ver que aumentar el voltaje del emisor reduce la polarización directa en la unión del emisor, lo que reduce la corriente del colector. Esto significa que el voltaje de salida y el voltaje de entrada están en fase.
Los transistores están disponibles en diferentes paquetes: el mismo transistor puede tener una apariencia completamente diferente. En la creación de prototipos, los recintos más comunes son:
TO-92 - compacto, para cargas ligeras
TO-220AB: masivo, buena disipación de calor, para cargas pesadas
La designación en los diagramas también varía según el tipo de transistor y el estándar de designación utilizado en la compilación. Pero independientemente de la variación, su símbolo sigue siendo reconocible.
Tipos de transistores de unión bipolares
Artículos similares. Transistores unipolares de indiferencia como transistores de efecto de campo, utilice sólo un tipo de soporte de carga. Se diferencia de otro tipo de transistor, es decir, la corriente de salida está controlada por el voltaje de entrada. Como hemos visto, un semiconductor ofrece menos resistencia al flujo de corriente en una dirección y alta resistencia en la otra dirección y podemos llamar transistor a un modo de dispositivo semiconductor. Los transistores bipolares constan de dos tipos de transistores.
transistores bipolares
Los transistores de unión bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistors) tienen tres contactos:
Colector: se le aplica alto voltaje, que desea controlar
Base: se suministra una pequeña cantidad a través de ella. actual para desbloquear grandes; la base está conectada a tierra para bloquearla
Emisor: la corriente fluye a través de él desde el colector y la base cuando el transistor está "abierto"
Transistor de transición de contacto puntual. . Comparando los dos transistores, los transistores de unión se utilizan más que los transistores de tipo puntual. Los transistores de transición se clasifican además en dos tipos, que se detallan a continuación. Para cada transistor de tránsito hay tres electrodos: emisor, colector y base.
Diagrama de conexión básico
Los tres terminales (colector, base y emisor) y el transistor se utilizan para aplicaciones de conmutación y amplificación. Normalmente, el terminal del colector está conectado al terminal positivo y el emisor al suministro negativo con una resistencia en el circuito del emisor o del colector. Usando esta propiedad, el transistor puede funcionar tanto en aplicaciones como en interruptor y amplificador.
La principal característica de un transistor bipolar es el indicador. vida también conocido como ganancia. Refleja cuántas veces más corriente en la sección colector-emisor puede pasar el transistor en relación con la corriente base-emisor.
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Normalmente, se aplica voltaje positivo al terminal del colector y energía negativa al terminal del emisor con una resistencia, ya sea por el emisor o por el circuito colector o emisor. Usando esta condición, un transistor puede actuar como ambas aplicaciones, que son un amplificador y un interruptor. Símbolo básico y diagrama como se muestra a continuación.
Utiliza diferentes materiales semiconductores para la región del emisor y la base y crea una heterounión. Esto inicia el flujo de corriente principal debido a la combinación de electrones y huecos. Dejado encendido grandes cantidades Los electrones pasarán a través del colector de polarización inversa para iniciar la corriente del colector. podemos observar una ecuación matemática.
Por ejemplo, si vida= 100, y por la base pasan 0,1 mA, entonces el transistor pasará por sí mismo un máximo de 10 mA. Si en este caso hay un componente en la sección de alta corriente que consume, por ejemplo, 8 mA, se le proporcionarán 8 mA, y el transistor tendrá “reserva”. Si hay un componente que consume 20 mA, solo se le proporcionará el máximo de 10 mA.
La corriente de base es muy menor en comparación con la corriente del emisor y del colector. 
Esperanza, esta información este artículo te ayudará a dar buena información y entender el proyecto. Aquí tiene una pregunta: si se utilizan transistores en circuitos digitales, ¿en qué región normalmente operan?
Transistores eléctricos de 4 bipolares. . Introducción. La función principal del "modelo" es predecir el comportamiento del dispositivo en un determinado área de trabajo. Próximos artículos. La respuesta de una pequeña señal de CA se puede describir de dos maneras: modelos generales: modelo híbrido y modelo. Los modelos son circuitos equivalentes que permiten utilizar técnicas de análisis de circuitos para predecir el rendimiento.
Además, la documentación de cada transistor indica los voltajes y corrientes máximos permitidos en los contactos. Superar estos valores provoca un calentamiento excesivo y una vida útil reducida, y un exceso fuerte puede provocar su destrucción.
NPN y PNP
Modelo híbrido de transistor Para demostrar el modelo de transistor híbrido, es necesario crear un circuito equivalente. C.A.. El diagrama inferior a la izquierda es un solo etapa general emisor para su análisis. La fuente de alimentación también está en cortocircuito con señales de CA.
El circuito equivalente se muestra arriba en el diagrama de la derecha. El rectángulo azul ahora representa el circuito equivalente de señal equivalente y ahora puede comenzar a trabajar en el circuito equivalente híbrido. En los parámetros generales del emisor. Modelo híbrido adecuado para pequeñas señales en carril central y describe la acción de un transistor.
El transistor descrito anteriormente es el llamado transistor NPN. Se llama así porque consta de tres capas de silicio conectadas en el orden: Negativo-Positivo-Negativo. Donde negativo es una aleación de silicio con un exceso de portadores de carga negativos (dopados n) y positivo es una aleación con un exceso de portadores de carga positivos (dopados p).
Las NPN son más efectivas y comunes en la industria.
Por este motivo, a la hora de diseñar un circuito, los parámetros híbridos deben medirse en las mismas condiciones que el circuito real. Las curvas de salida son bastante útiles porque muestran el cambio en la corriente del colector para un rango de voltajes del emisor del colector. La parte casi plana de las curvas muestra que el transistor se comporta como un generador de CC.
Este es un hecho importante a considerar cuando se utiliza un transistor como interruptor. El modelo se utilizará para construir ecuaciones de ganancia de voltaje, ganancia de corriente e impedancia de entrada y salida. Como uno de los dispositivos semiconductores más importantes, el transistor ha encontrado aplicación en enormes aplicaciones electrónicas, como sistemas integrados, circuitos digitales y sistemas de control. En los dominios digital y analógico, los transistores se utilizan ampliamente para diversas aplicaciones como amplificación, operaciones lógicas, conmutación, etc. Este artículo se concentra y ofrece principalmente una breve explicación sobre la aplicación del transistor como interruptor.
Al designar transistores PNP, se diferencian en la dirección de la flecha. La flecha siempre apunta de P a N. Los transistores PNP tienen un comportamiento “invertido”: la corriente no se bloquea cuando la base está conectada a tierra y se bloquea cuando la corriente fluye a través de ella.
Transistores de efecto de campo
Los transistores de efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) tienen el mismo propósito, pero difieren en su estructura interna. Un tipo particular de estos componentes son los transistores MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico). Te permiten operar con mucha mayor potencia con las mismas dimensiones. Y el control del propio "compuerta" se realiza exclusivamente usando voltaje: no fluye corriente a través de la puerta, a diferencia de los transistores bipolares.
Modos de funcionamiento de transistores bipolares.
En casi muchas aplicaciones, estos transistores se utilizan para dos funciones principales, como conmutación y amplificación. Estos dos portadores de carga son los huecos y los electrones, donde los huecos son portadores de carga positiva y los electrones son portadores de carga negativa.
Transistor bipolar: circuitos de conmutación, modos de funcionamiento.
Un transistor tiene tres regiones: base, emisor y colector. El emisor es un terminal fuertemente dopado y emite electrones hacia la base. El terminal de la base está ligeramente dopado y permite que los electrones bombeados por el emisor fluyan hacia el colector. El terminal colector está dopado intermediamente y recoge electrones de la base. Este colector es de gran tamaño respecto a las otras dos zonas, por lo que disipa más calor.
Los transistores de efecto de campo tienen tres contactos:
Drenaje: se le aplica alto voltaje, que desea controlar
Puerta: se le aplica voltaje para permitir que fluya la corriente; la puerta está conectada a tierra para bloquear la corriente.
Fuente: la corriente fluye a través de él desde el drenaje cuando el transistor está "abierto"
Modos de funcionamiento de transistores.
Estos dos transistores se pueden configurar en diferentes tipos, como configuraciones de emisor común, colector común y base común. Dependiendo de las condiciones de polarización, como directa o inversa, los transistores tienen tres modos principales de operación: regiones de corte, activas y saturadas.
Operación de transistor en modo de amplificación de señal.
En este modo, el transistor se suele utilizar como amplificador de corriente. En el modo activo, las dos uniones tienen una polarización diferente, lo que significa que la unión emisor-base tiene polarización directa mientras que la unión colector-base tiene polarización inversa. En este modo, la corriente fluye entre el emisor y el colector, y la cantidad de corriente fluye es proporcional a la corriente base.
Canal N y Canal P
Por analogía con los transistores bipolares, los transistores de campo difieren en polaridad. El transistor de canal N se describió anteriormente. Son los más comunes.
El canal P cuando se designa difiere en la dirección de la flecha y, nuevamente, tiene un comportamiento "invertido".
En este modo, tanto la conexión del colector base como la conexión del emisor se basan en polarización inversa. Esto, a su vez, evita que el flujo fluya desde el colector al emisor cuando el voltaje del emisor base es bajo. En este modo, el dispositivo está completamente apagado, lo que da como resultado que no fluya corriente a través del dispositivo.
En este modo de funcionamiento, tanto básico como conexiones básicas el emisor se desplaza hacia adelante. La corriente fluye libremente desde el colector al emisor cuando el voltaje del emisor base es alto. En la siguiente figura, la región de corte tiene condiciones de funcionamiento como corriente de salida del colector cero, corriente de entrada de base cero y voltaje máximo del colector. Estos parámetros dan como resultado una gran capa de agotamiento, que impide aún más el flujo de corriente a través del transistor.
Conexión de transistores para impulsar componentes de alta potencia.
Una tarea típica de un microcontrolador es encender y apagar un componente de circuito específico. El microcontrolador en sí suele tener características de manejo de potencia modestas. Entonces Arduino, con una salida de 5 V por pin, puede soportar una corriente de 40 mA. Los motores potentes o los LED ultrabrillantes pueden consumir cientos de miliamperios. Al conectar dichas cargas directamente, el chip puede fallar rápidamente. Además, para el funcionamiento de algunos componentes se requiere un voltaje superior a 5 V, y Arduino no puede producir más de 5 V desde el pin de salida digital.
De manera similar, en la región de saturación, el transistor está polarizado de modo que se aplica la corriente de base máxima, lo que proporciona corriente máxima voltaje colector y mínimo colector-emisor. Esto hace que la capa de agotamiento se vuelva pequeña y permite que la corriente máxima pase a través del transistor.
Este tipo de aplicación de conmutación se utiliza para controlar motores, cargas de lámparas, solenoides, etc. Un transistor se utiliza para abrir o cerrar un circuito. Este tipo de conmutación de estado sólido ofrece una confiabilidad significativa y un costo menor que los relés convencionales. Algunas aplicaciones utilizan un transistor de potencia como dispositivo de conmutación, entonces es posible que sea necesario utilizar otro transistor de nivel de señal para controlar el transistor de alta potencia.
Pero es bastante fácil controlar un transistor, que a su vez controlará una gran corriente. Digamos que necesitamos conectar un largo tira de LED, que requiere 12 V y aún consume 100 mA:
Ahora, cuando la salida está configurada en lógica (alta), los 5 V que ingresan a la base abrirán el transistor y la corriente fluirá a través de la cinta: brillará. Cuando la salida se establece en cero lógico (bajo), la base se conectará a tierra a través del microcontrolador y se bloqueará el flujo de corriente.
Preste atención a la resistencia limitadora de corriente. R. Es necesario prevenir la formación de cortocircuito a lo largo de la ruta microcontrolador - transistor - tierra. Lo principal es no exceder la corriente permitida a través del contacto Arduino de 40 mA, por lo que es necesario utilizar una resistencia con un valor de al menos:
Aquí U d- esta es la caída de voltaje a través del propio transistor. Depende del material del que esté fabricado y suele ser de 0,3 – 0,6 V.
Pero no es absolutamente necesario mantener la corriente dentro del límite permitido. Solo es necesario que la ganancia del transistor le permita controlar la corriente requerida. En nuestro caso es 100 mA. Aceptable para el transistor utilizado. vida= 100, entonces una corriente de control de 1 mA nos será suficiente
Para nosotros es adecuada una resistencia con un valor de 118 ohmios a 4,7 kOhmios. Para un funcionamiento estable en un lado y carga ligera para el chip del otro, 2,2 kOhm es una buena opción.
Si utiliza un transistor de efecto de campo en lugar de un transistor bipolar, puede prescindir de una resistencia:
Esto se debe al hecho de que la puerta en dichos transistores está controlada únicamente por voltaje: no hay corriente en la sección microcontrolador - puerta - fuente. Y gracias a sus altas características, un circuito que utiliza MOSFET permite controlar componentes muy potentes.
Transistores bipolares.
transistores bipolares- un dispositivo semiconductor electrónico, uno de los tipos de transistores, diseñado para amplificar, generar y convertir señales eléctricas. El transistor se llama bipolar, ya que dos tipos de portadores de carga participan simultáneamente en el funcionamiento del dispositivo: electrones Y agujeros. En esto se diferencia de unipolar Transistor (efecto de campo), en el que sólo interviene un tipo de portador de carga.
El principio de funcionamiento de ambos tipos de transistores es similar al funcionamiento de un grifo de agua que regula el flujo de agua, solo un flujo de electrones pasa a través del transistor. En los transistores bipolares, dos corrientes pasan a través del dispositivo: la corriente principal "grande" y la corriente de control "pequeña". La potencia de la corriente principal depende de la potencia del controlador. En los transistores de efecto de campo, solo pasa una corriente a través del dispositivo, cuya potencia depende del campo electromagnético. En este artículo veremos más de cerca el funcionamiento de un transistor bipolar.
Diseño de transistores bipolares.
Un transistor bipolar consta de tres capas semiconductoras y dos uniones PN. Hay PNP y Transistores NPN por tipo de alternancia Conductividades de huecos y electrones.. son como dos diodo, conectados cara a cara o viceversa.
Un transistor bipolar tiene tres contactos (electrodos). El contacto que sale de la capa central se llama base. Los electrodos extremos se llaman coleccionista Y emisor (coleccionista Y emisor). La capa base es muy delgada en relación con el colector y el emisor. Además, las zonas semiconductoras en los bordes del transistor son asimétricas. La capa semiconductora del lado del colector es ligeramente más gruesa que del lado del emisor. Esto es necesario para que el transistor funcione correctamente.
Funcionamiento de un transistor bipolar.
Consideremos los procesos físicos que ocurren durante el funcionamiento de un transistor bipolar. Tomemos como ejemplo el modelo NPN. El principio de funcionamiento de un transistor PNP es similar, solo que la polaridad del voltaje entre el colector y el emisor será opuesta.
Como ya se dijo en artículo sobre tipos de conductividad en semiconductores, en una sustancia tipo P hay iones cargados positivamente: agujeros. La sustancia de tipo N está saturada de electrones cargados negativamente. En un transistor, la concentración de electrones en la región N excede significativamente la concentración de huecos en la región P.
Conectemos una fuente de voltaje entre el colector y el emisor V CE (V CE). Bajo su acción, los electrones de la parte superior N comenzarán a ser atraídos hacia el plus y se acumularán cerca del colector. Sin embargo, la corriente no podrá fluir porque el campo eléctrico de la fuente de voltaje no llega al emisor. Esto se evita mediante una gruesa capa de semiconductor colector más una capa de semiconductor base.
Ahora conectemos el voltaje entre la base y el emisor V BE , pero significativamente menor que V CE (para transistores de silicio el V BE mínimo requerido es 0,6 V). Como la capa P es muy delgada, más una fuente de voltaje conectada a la base, podrá “alcanzar” con su campo eléctrico la región N del emisor. Bajo su influencia, los electrones se dirigirán a la base. Algunos de ellos comenzarán a llenar los agujeros allí ubicados (recombinarse). La otra parte no encontrará un agujero libre, porque la concentración de agujeros en la base es mucho menor que la concentración de electrones en el emisor.
Como resultado, la capa central de la base se enriquece con electrones libres. La mayoría de ellos irán hacia el colector, ya que allí el voltaje es mucho mayor. Esto también se ve facilitado por el espesor muy pequeño de la capa central. Una parte de los electrones, aunque sea mucho más pequeña, seguirá fluyendo hacia el lado positivo de la base.
Como resultado, obtenemos dos corrientes: una pequeña, desde la base hasta el emisor I BE, y una grande, desde el colector hasta el emisor I CE.
Si aumenta el voltaje en la base, se acumularán aún más electrones en la capa P. Como resultado, la corriente de base aumentará ligeramente y la corriente del colector aumentará significativamente. De este modo, con un ligero cambio en la corriente base I B , la corriente del colector I cambia mucho CON. eso es lo que pasa amplificación de señal en un transistor bipolar. La relación entre la corriente del colector I C y la corriente de la base I B se llama ganancia de corriente. Designado β , vida o h21e, dependiendo de las particularidades de los cálculos realizados con el transistor.
El amplificador de transistores bipolar más simple.
Consideremos con más detalle el principio de amplificación de señal en el plano eléctrico usando el ejemplo de un circuito. Permítanme hacer una reserva de antemano de que este esquema no es del todo correcto. Nadie conecta una fuente de voltaje CC directamente a una fuente de CA. Pero en este caso, será más fácil y claro entender el mecanismo de amplificación utilizando un transistor bipolar. Además, la técnica de cálculo en sí en el siguiente ejemplo está algo simplificada.
1.Descripción de los principales elementos del circuito.
Entonces, digamos que tenemos un transistor con una ganancia de 200 (β = 200). En el lado del colector, conectaremos una fuente de alimentación de 20 V relativamente potente, gracias a cuya energía se producirá la amplificación. Desde la base del transistor conectamos una fuente de alimentación débil de 2V. Le conectamos la fuente en serie. voltaje CA en forma de seno, con una amplitud de oscilación de 0,1V. Esta será una señal que deberá amplificarse. La resistencia Rb cerca de la base es necesaria para limitar la corriente proveniente de la fuente de señal, que generalmente tiene baja potencia.
2. Cálculo de la corriente de entrada base I b
Ahora calculemos la corriente base I b. Dado que estamos tratando con voltaje alterno, necesitamos calcular dos valores de corriente: al voltaje máximo (V max) y al mínimo (V min). Llamemos a estos valores actuales respectivamente: I bmax y I bmin.
Además, para calcular la corriente base, es necesario conocer el voltaje base-emisor V BE. Hay una unión PN entre la base y el emisor. Resulta que la corriente de base "se encuentra" con el diodo semiconductor en su camino. El voltaje al que comienza a conducir un diodo semiconductor es de aproximadamente 0,6 V. No entremos en detalles características corriente-voltaje del diodo, y para simplificar los cálculos, tomamos un modelo aproximado según el cual el voltaje en el diodo portador de corriente es siempre de 0,6 V. Esto significa que el voltaje entre la base y el emisor es V BE = 0,6 V. Y como el emisor está conectado a tierra (V E = 0), el voltaje de la base a tierra también es de 0,6 V (V B = 0,6 V).
Calculemos I bmax y I bmin usando la ley de Ohm:
2. Cálculo de la corriente del colector de salida I. CON
Ahora, conociendo la ganancia (β = 200), puedes calcular fácilmente los valores máximo y mínimo de la corriente del colector (I cmax y I cmin).
3. Cálculo del voltaje de salida V afuera
La corriente del colector fluye a través de la resistencia Rc, que ya hemos calculado. Queda por sustituir los valores:
4. Análisis de resultados
Como puede verse en los resultados, V Cmax resultó ser menor que V Cmin. Esto se debe a que el voltaje a través de la resistencia V Rc se resta del voltaje de suministro VCC. Sin embargo, en la mayoría de los casos esto no importa, ya que nos interesa el componente variable de la señal: la amplitud, que ha aumentado de 0,1 V a 1 V. La frecuencia y la forma sinusoidal de la señal no han cambiado. Por supuesto, la relación V out / V in de diez veces está lejos de ser el mejor indicador para un amplificador, pero es bastante adecuado para ilustrar el proceso de amplificación.
Entonces, resumamos el principio de funcionamiento de un amplificador basado en un transistor bipolar. Una corriente I b fluye a través de la base, transportando componentes constantes y variables. Se necesita un componente constante para que la unión PN entre la base y el emisor comience a conducir - "se abra". El componente variable es, de hecho, la propia señal (información útil). La corriente colector-emisor dentro del transistor es el resultado de la corriente de base multiplicada por la ganancia β. A su vez, el voltaje a través de la resistencia Rc encima del colector es el resultado de multiplicar la corriente del colector amplificada por el valor de la resistencia.
Por lo tanto, el pin V out recibe una señal con una amplitud de oscilación aumentada, pero con la misma forma y frecuencia. Es importante enfatizar que el transistor toma energía para amplificación de la fuente de alimentación VCC. Si el voltaje de suministro es insuficiente, el transistor no podrá funcionar completamente y la señal de salida puede distorsionarse.
Modos de funcionamiento de un transistor bipolar.
De acuerdo con los niveles de voltaje en los electrodos del transistor, existen cuatro modos de funcionamiento:
Modo de corte.
Modo activo.
Modo de saturación.
Modo inverso.
Modo de corte
Cuando el voltaje base-emisor es inferior a 0,6 V - 0,7 V, la unión PN entre la base y el emisor está cerrada. En este estado, el transistor no tiene corriente de base. Como resultado, tampoco habrá corriente de colector, ya que no hay electrones libres en la base listos para moverse hacia la tensión del colector. Resulta que el transistor está, por así decirlo, bloqueado y dicen que está en modo de corte.
Modo activo
EN modo activo El voltaje en la base es suficiente para que se abra la unión PN entre la base y el emisor. En este estado, el transistor tiene corrientes de base y de colector. La corriente del colector es igual a la corriente base multiplicada por la ganancia. Aquellos modo activo llamado modo de funcionamiento normal del transistor, que se utiliza para amplificación.
Modo de saturación
A veces la corriente base puede ser demasiado alta. Como resultado, la potencia suministrada simplemente no es suficiente para proporcionar una magnitud de corriente de colector que corresponda a la ganancia del transistor. En modo saturación, la corriente del colector será la máxima que pueda proporcionar la fuente de alimentación y no dependerá de la corriente de base. En este estado, el transistor no puede amplificar la señal, ya que la corriente del colector no responde a los cambios en la corriente de base.
En el modo de saturación, la conductividad del transistor es máxima y es más adecuado para la función de un interruptor (interruptor) en el estado "encendido". De manera similar, en el modo de corte, la conductividad del transistor es mínima, y esto corresponde al interruptor en el estado apagado.
Modo inverso
En este modo, el colector y el emisor cambian sus roles: la unión PN del colector está polarizada en la dirección directa y la unión del emisor está polarizada en la dirección opuesta. Como resultado, la corriente fluye desde la base al colector. La región semiconductora del colector es asimétrica con respecto al emisor y la ganancia en modo inverso es menor que en el modo activo normal. El transistor está diseñado de tal manera que funciona de la manera más eficiente posible en modo activo. Por tanto, el transistor prácticamente no se utiliza en modo inverso.
Parámetros básicos de un transistor bipolar.
Ganancia actual– relación entre la corriente del colector I C y la corriente de la base I B. Designado β , vida o h21e, dependiendo de las particularidades de los cálculos realizados con transistores.
β es un valor constante para un transistor y depende de la estructura física del dispositivo. Una ganancia alta se calcula en cientos de unidades, una ganancia baja, en decenas. Para dos transistores separados del mismo tipo, incluso si fueran "vecinos de tubería" durante la producción, β puede ser ligeramente diferente. Esta característica de un transistor bipolar es quizás la más importante. Si a menudo se pueden ignorar otros parámetros del dispositivo en los cálculos, entonces la ganancia actual es casi imposible.
Impedancia de entrada– resistencia en el transistor que “encuentra” la corriente de base. Designado R en (R aporte). Cuanto más grande sea, mejor para las características de amplificación del dispositivo, ya que en el lado de la base suele haber una fuente de señal débil, que necesita consumir la menor cantidad de corriente posible. Opcion ideal- esto es cuando la resistencia de entrada es infinita.
La entrada R para un transistor bipolar promedio es de varios cientos de KΩ (kilo-ohmios). Aquí el transistor bipolar pierde mucho frente al transistor de efecto de campo, donde la resistencia de entrada alcanza cientos de GΩ (gigaohmios).
Conductividad de salida- conductividad del transistor entre colector y emisor. Cuanto mayor sea la conductancia de salida, más corriente colector-emisor podrá pasar a través del transistor con menos potencia.
Además, con un aumento en la conductividad de salida (o una disminución en la resistencia de salida), aumenta la carga máxima que el amplificador puede soportar con pérdidas insignificantes en la ganancia general. Por ejemplo, si un transistor con baja conductividad de salida amplifica la señal 100 veces sin carga, cuando se conecta una carga de 1 KΩ, ya se amplificará solo 50 veces. Un transistor con la misma ganancia pero mayor conductividad de salida tendrá una caída de ganancia menor. La opción ideal es cuando la conductividad de salida es infinita (o resistencia de salida R out = 0 (R out = 0)).